Transistörler - FET, MOSFET - RF
PTAB182002TCV2R250XTMA1
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- H-49248H-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen PTAB182002TCV2R250XTMA1, RF uygulamaları için tasarlanmış LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. H-49248H-4 paketinde sunulan bu bileşen, 1.805GHz ile 1.88GHz frekans aralığında çalışmakta olup, 29W çıkış gücü ve 14.8dB kazanç sağlamaktadır. 65V nominal çalışma voltajında ve 28V test voltajında değerlendirilmiş olan transistör, 520mA test akımında performans göstermektedir. Mobil haberleşme, base station amplifikatörleri ve RF güç amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 520 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 14.8dB |
| Package / Case | H-49248H-4 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 29W |
| Supplier Device Package | H-49248H-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok