Özel IC'ler
PSMN6R0-30YLB115
NOW NEXPERIA PSMN6R0-30YLB - POW
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Özel IC'ler
- Seri / Aile Numarası
- PSMN6R0-30YLB
PSMN6R0-30YLB115 Hakkında
PSMN6R0-30YLB,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 71A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 6.5mΩ drain-source direnci (Rds On) düşük enerji kaybı sağlar. SC-100 / SOT-669 paketinde Surface Mount olarak monte edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 58W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 71A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1088 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok