Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
PRMD2Z
PRMD2/SOT1268/DFN1412-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PRMD2Z
PRMD2Z Hakkında
PRMD2Z, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli bipolar junction transistör (BJT) dizisidir. 6-XFDFN gövdede sunulan bu komponent, bir adet NPN ve bir adet PNP transistörden oluşur. Her transistör, entegre edilmiş 22kΩ temel direnç ve 22kΩ emitter-temel direnci içerir. Maksimum kolektör akımı 100mA, besleme gerilimi 50V, transistion frekansı 230MHz'dir. 480mW maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama uygulamaları, sinyali işleme devreleri, lojik arayüz uygulamaları ve düşük sinyal güçlendiricilerde yaygın olarak kullanılır. Düşük gürültü ve küçük paket boyutu, kompakt tasarımlı tüketici elektronikleri ve endüstriyel kontrol sistemlerine uygun kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 480mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1412-6 |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok