Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
PRMD12Z
PRMD12/SOT1268/DFN1412-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PRMD12
PRMD12Z Hakkında
PRMD12Z, Nexperia tarafından üretilen ön beslemeli bipolar junction transistör (BJT) dizisidir. Tek bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu komponent, 6-pin XFDFN yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. 100mA maksimum collector akımı, 230MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. 47kΩ base ve emitter-base dirençleri ile önceden kurulmuş konfigürasyon, hızlı entegrasyon ve tasarım süresi azaltma sağlar. 480mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarına uygundur. Sinyal işleme, inverter, kılıf kontrolü ve genel RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 480mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1412-6 |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok