Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
PQMH10Z
TRANS NPN/NPN RET 6DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PQMH10Z
PQMH10Z Hakkında
PQMH10Z, Nexperia tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. Surface mount 6-XFDFN kasa ile sunulan bu komponent, içinde iki adet NPN transistör ve temel ön beslemeli dirençler (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) içermektedir. Maksimum collector akımı 100mA, transition frekansı 230MHz olup, 50V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 350mW güç yönetim kapasitesi sayesinde düşük güçlü sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. TTL/CMOS lojik seviyeleri ile uyumlu olarak tasarlanmış bu komponent, küçük form faktörü ve düşük maliyet avantajı ile gömülü sistemlerde, sensör arayüzleri ve genel amaçlı dijital uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok