Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
PQMD12Z
NOW NEXPERIA PQMD - SMALL SIGNAL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PQMD12Z
PQMD12Z Hakkında
PQMD12Z, Rochester Electronics tarafından üretilen dual ön beslemeli transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, 6-XFDFN yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 230MHz transition frekansı ve 350mW güç kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. Her transistör üzerine entegre edilen 47kΩ bazı dirençler ön beslemeli yapı sağlar. Vce saturation değeri 150mV @ 500µA, 10mA ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 50V Vce(BR)CEO diyelectric kuvveti sayesinde genel amaçlı lojik ve RF sinyal işlemede uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 230MHz, 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok