Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PN100_G

INTEGRATED CIRCUIT

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
PN100

PN100_G Hakkında

PN100_G, onsemi tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V Vce(br)dss ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 250MHz geçiş frekansı ile anahtarlama ve düşük frekanslı amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 100@150mA, 5V koşullarında ölçülmüştür. 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile aydınlatma kontrolü, motor sürücüleri, sinyal işleme ve hobi elektronik uygulamalarında yaygın şekilde kullanılır. Geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığı sağlar. Through Hole montaj türü ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılır. Lütfen güncel alternatifleri inceleyiniz; bu ürün üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok