Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PMZB370UNE,315
NEXPERIA PMZB370UNE - SMALL SIGN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- PMZB370UNE
PMZB370UNE,315 Hakkında
PMZB370UNE, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 490mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 3-XFDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (1.16nC) ve düşük input kapasitansi (78pF) nedeniyle hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve diğer düşük güçlü elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.16 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok