Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMWD26UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 8-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- PMWD26UN
PMWD26UN,518 Hakkında
PMWD26UN,518, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 7.8A sürekli drenaj akımına sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimi ile çalışabilir. 30mOhm olan düşük RDS(on) değeri, anahtarlama uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. 8-TSSOP yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, AC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Part obsolete durumunda bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1366pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok