Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PMN40UPE,115
NEXPERIA PMN40UPE - SMALL SIGNAL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-74
- Seri / Aile Numarası
- PMN40UPE
PMN40UPE,115 Hakkında
PMN40UPE,115 bir P-Channel MOSFET transistördür ve küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. Maksimum 20V drain-source voltajı ve 4.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 43mΩ on-state direnci (4.5V gate voltajında 3A'de) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolünde ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SC-74 yüzey montaj paketinde sunulan PMN40UPE, kompakt tasarımlar için uygundur. Maksimum 500mW güç disipasyon kapasitesiyle (Ta'da) verimli elektronik sistemlerin tasarlanmasını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1820 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok