Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- PMGD8000LN
PMGD8000LN,115 Hakkında
PMGD8000LN,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltajında 125mA sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, logic level gate kontrol özelliği ile düşük voltaj sinyal işleme uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8Ohm maksimum on-state direnci (4V, 10mA) ile enerji verimliliği sağlar. 0.35nC gate charge ve 18.5pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. 6-TSSOP yüzey montaj paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklığı -55°C ile +150°C arasında değişir. Düşük güç tüketimiyle (200mW) kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılabilir. Lojik seviye gate gerilimi 1.5V @ 100µA karakteristiği ile standart logic entegreleriyle doğrudan bağlantı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 125mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok