Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMGD175XNEAX
MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363
PMGD175XNEAX Hakkında
PMGD175XNEAX, Nexperia tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 900mA continuous drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 252mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 6-TSSOP (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücü ve genel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 390mW güç tüketebilir. 1.65nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.65nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 81pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 390mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 252mOhm @ 900mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok