Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

PMGD130UN,115

MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
PMGD130UN

PMGD130UN,115 Hakkında

PMGD130UN,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj, 1.2A sürekli dren akımı ve 145mΩ on-resistance özellikleriyle kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle (4.5V) çalışabilir. 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, maksimum 390mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (1.3nC) ve input capacitance (83pF) değerleri hızlı komütasyon uygulamalarında avantaj sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 390mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 1.2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok