Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PMEM4010ND,115
TRANS NPN 40V 1A 6TSOP
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-74
- Seri / Aile Numarası
- PMEM4010ND
PMEM4010ND,115 Hakkında
PMEM4010ND,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). SC-74 (SOT-457) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 40V kolektör-emitter gerilimi ve 1A kolektör akımında çalışabilir. 150MHz transition frequency ile orta frekans uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 600mW güç yayabilir ve 210mV satürasyon gerilimi ile düşük kayıp işletmeyi destekler. DC akım kazancı (hFE) 500mA, 5V koşullarında en az 300'dür. Cihaz, mantık devre arayüzleri, sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Entegre bir diyot yapısı içerir ve 125°C'ye kadar çalışabilir. Bileşen, üretim artık devam etmediğinden (Obsolete) yeni tasarımlarda alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 600 mW |
| Supplier Device Package | SC-74 |
| Transistor Type | NPN + Diode (Isolated) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok