Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PMEG6010AESBYL
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 2-XDFN
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMEG6010AES
PMEG6010AESBYL Hakkında
PMEG6010AESBYL, Nexperia tarafından üretilen 60V 1A kapasiteli Schottky doğrultma diyotudur. 2-XDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 625 mV forward voltage ile düşük güç kaybı sağlar. 2.4 ns reverse recovery time ve hızlı kurtarma karakteristiği sayesinde yüksek frekans uygulamalarında verimli çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ile çalışabilen bu diyot, anahtarlama uygulamaları, doğrultucu devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 20 pF kapasitans değeri ve 650 µA reverse leakage current özellikleriyle RF ve düşük güç devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 650 µA @ 60 V |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | 2-XDFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.4 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DSN1006-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 625 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok