Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PMEG3010ESBZ
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 2-XDFN
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMEG3010ES
PMEG3010ESBZ Hakkında
PMEG3010ESBZ, Nexperia tarafından üretilen 30V 1A kapasitesine sahip bir Schottky doğrultucu diyottur. DSN1006-2 Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 565 mV forward voltage değeri ile düşük gerilim düşüşü sağlar. 3.2 ns reverse recovery time ve 45 µA reverse leakage current özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetimi ve genel doğrultme işlemlerinde kullanılmaktadır. 32 pF kapasitans değeri ile sinyal bütünlüğünü korur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 32pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 45 µA @ 30 V |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | 2-XDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3.2 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DSN1006-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 565 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok