Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
PMEG3010AESBZ
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 2-XDFN
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMEG3010AES
PMEG3010AESBZ Hakkında
PMEG3010AESBZ, Nexperia tarafından üretilen 30V 1A kapasiteli bir Schottky doğrultma diyotudur. Fast recovery özelliğine sahip bu diyot, 480 mV forward voltaj ile 1A akımda çalışır. 3.5 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 2-XDFN (DSN1006-2) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, maksimum 150°C işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. 32pF kapasitans değeri (10V, 1MHz'de) düşük frekans uygulamaları için uygun karakteristikler sağlar. Komponent üretim durdurulmuş durumda olup, alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 32pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1.25 mA @ 30 V |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | 2-XDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3.5 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DSN1006-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 480 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok