Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PMDXB550
PMDXB550UNEZ Hakkında
PMDXB550UNEZ, Nexperia tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 590mA sürekli drenaj akımı sağlayarak, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve sinyal işleme işlevlerini gerçekleştirir. 670mOhm on-resistance (4.5V gate voltajında) ile verimli iletim özellikleri sunar. Surface mount 6-XFDFN paket içinde iki bağımsız MOSFET bulunur. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan bu bileşen, IoT cihazları, mobil uygulamalar, DC/DC dönüştürücüler ve düşük güçlü anahtarlama devreleri gibi gömülü sistem tasarımlarında tercih edilir. 285mW maksimum güç yönetimi kapasitesi ile enerji tasarrufu gerektiren uygulamalara uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 590mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30.3pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 285mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 590mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok