Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
PMDT290UNE,115 Hakkında
PMDT290UNE,115, Nexperia tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajı ve 800mA sürekli drenaj akımı ile çalışır. 380mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 500mW maksimum güç dağıtımına sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, anahtarlama uygulamaları, motorlar, LED sürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük gate charge (0.68nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok