Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMDT290UCE,115
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
PMDT290UCE,115 Hakkında
PMDT290UCE,115, Nexperia tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel transistörleri aynı pakette sunarak tamamlayıcı devre tasarımlarında kullanılır. 20V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu komponent, logic level gate sürme özelliğine sahiptir ve düşük gate charge değeri sayesinde hızlı anahtarlama yapar. 500mA/800mA sürekli drenaj akımı kapasitesi, 380mOhm RDS(on) değeri ve 500mW maksimum güç disipasyonuyla genellikle anahtarlama devreleri, sinyal yönlendirme, güç yönetimi ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA, 550mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok