Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMDPB95XNE,115
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PMDPB95XNE
PMDPB95XNE,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PMDPB95XNE,115, 6-UDFN Exposed Pad paketinde sunulan dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile elektronik devrelerde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimi gerektiren uygulamalara uyumludur. 120mOhm on-resistance değeri ile güç tüketimini minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. 2.5nC gate charge ve 143pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 475mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok