Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

PMDPB85UPE,115

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
6-UFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PMDPB85UPE

PMDPB85UPE,115 Hakkında

PMDPB85UPE,115, Nexperia tarafından üretilen 2 P-Channel MOSFET dizisidir. 20V drain-source voltaj derecesine sahip bu transistör, 2.9A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği ile 4.5V Vgs değerinde 8.1nC gate charge ve 103mOhm Rds(on) değerine sahiptir. 6-UFDFN (6-HUSON) SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. 515mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, ses amplifikatörleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük gate charge ve on-resistance özellikleri, etkin anahtarlama süresi ve düşük enerji kaybı gerektiren tasarımlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 514pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 515mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1.3A, 4.5V
Supplier Device Package 6-HUSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok