Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PMDPB56XN
PMDPB56XN,115 Hakkında
PMDPB56XN,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source gerilim ve 3.1A sürekli drenaj akımına sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük giriş geriliminde çalışabilir. 6-UDFN (2x2mm) yüzey montajlı paketle sunulan bu bileşen, 73mΩ maksimum on-dirençine ve 2.9nC gate yüklemesine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor denetimi ve genel lojik uygulamalarında kullanılan kompakt ve verimli bir çözümdür. Not: Ürün EOL (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 510mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok