Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMDPB38UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PMDPB38UNE
PMDPB38UNE,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PMDPB38UNE,115, 6-UDFN (2x2) Surface Mount paketinde sunulan çift kanal N-channel MOSFET'tir. 20V Drain to Source gerilimi ile 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük giriş gerilimi ile tetiklenebilir. 46mOhm RDS(on) değeri ile minimum güç kaybı sağlar. Vgs(th) 1V @ 250µA threshold voltajı ile entegre devrelerden doğrudan sürülebilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 510mW maksimum güç dağılımı, bu bileşeni anahtar uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi ve hızlı anahtarlamış güç kaynakları gibi uygulamalara uygun kılmaktadır. Küçük form faktörü ile yoğun PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 268pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 510mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok