Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMDPB30XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PMDPB30XN
PMDPB30XN,115 Hakkında
PMDPB30XN,115, Nexperia tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate ile tasarlanmış bu bileşen, 20V drain-source voltajı ve 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 6-HUSON (2x2) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, düşük on-direnci (40mOhm @ 3A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerinde verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 21.7nC gate charge ve 660pF input capacitance ile hızlı komütasyon karakteristiğine sahip olup, maksimum 490mW güç tüketimi özellikleriyle mobil cihazlar, IoT uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 490mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok