Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PMDPB28UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PMDPB28UN
PMDPB28UN,115 Hakkında
PMDPB28UN,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gate voltajında çalışabilmektedir. 6-UDFN (2x2) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 37mOhm RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 510mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygundur. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 510mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok