Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PMBTA06-QR

TRANS NPN 80V 500MA SOT23

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMBTA06

PMBTA06-QR Hakkında

PMBTA06-QR, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency özelliği ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 250mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan PMBTA06-QR, 100 @ 100mA, 1V koşullarında 100 minimum DC current gain (hFE) sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, bilgisayar, haberleşme, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama görevlerinde tercih edilir. Düşük collector-emitter saturation gerilimi (250mV) sayesinde verimli çalışma özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok