Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PMBT5551,235
TRANS NPN 160V 0.3A SOT23
PMBT5551,235 Hakkında
PMBT5551, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300mA collector akımı ve 250mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 80'lik minimum DC akım kazancı (hFE), güvenilir ve tahmin edilebilir devre tasarımı sağlar. 200mV saturasyon gerilimi ile düşük enerji kaybı sunmakta, endüstriyel kontrol, aydınlatma yönetimi ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok