Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PMBT5551,215

TRANS NPN 160V 300MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMBT5551

PMBT5551,215 Hakkında

PMBT5551, Nexperia tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ve 300mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 300MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine olanak sağlar. 250mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunur. DC akım kazancı (hFE) minimum 80'dir. Düşük satürasyon gerilimi (200mV @ 5mA, 50mA) ve minimal cutoff akımı (50nA) özellikleriyle, ses amplifikaştörü, RF uygulamaları, voltaj regülatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok