Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PMBT2907AQAZ
PMBT2907AQA/SOT1215/DFN1010D-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- PMBT2907
PMBT2907AQAZ Hakkında
PMBT2907AQAZ, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu transistör, maksimum 600mA collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 210MHz geçiş frekansı ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 325mW maksimum güç tüketimiyle düşük güçlü analog ve dijital devreler, cep telefonları, tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanıklı olan bileşen, kompakt tasarımlar için ideal bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 210MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 325 mW |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok