Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PMBT2222AMBYL
PMBT2222AMB/SOT883/XQFN3
PMBT2222AMBYL Hakkında
PMBT2222AMBYL, Nexperia tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 600mA maksimum kolektör akımı, 40V collector-emitter gerilimi ve 250mW güç derecelendirmesi ile düşük sinyalli elektronik devreler, sinyal kuvvetlendirme, anahtarlama ve lojik devreler gibi uygulamalarda kullanılır. 340MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile yüksek frekans uygulamalarında çalışabilir. Surface mount 3-XFDFN (DFN1006B-3) paketinde sunulan bu transistör, kompakt tasarımlar ve hassas PCB montajı gerektiren cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 340MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok