Transistörler - JFET
PMBFJ309,215
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- PMBFJ309
PMBFJ309,215 Hakkında
PMBFJ309,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 250mW maksimum güç yönetimi kapasitesiyle, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12mA Idss değeri ve 50Ω RDS(On) direnci ile, ses ön amplifikatörleri, RF ön kademesi ve analog sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. SOT-23 (TO-236) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Şu anda üretim dışı statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 12 mA @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1 V @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok