Transistörler - JFET

PMBFJ308,215

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMBFJ308

PMBFJ308,215 Hakkında

PMBFJ308,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-kanal JFET transistördür. 25V drain-source voltajı (Vdss) ve 250mW güç derecelendirilmesiyle, düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 12 mA drain akımı (Idss @ 10V) ve 50 Ohm on-direnci (RDS) ile, ses frekansı devreleri, sinyal seçme ve zayıf sinyalli kaskadlı amplifikatörlerde yer alabilir. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajı paketi ve -150°C çalışma sıcaklığı aralığı ile kompakt tasarımlara uygundur. Bileşen üretimden kaldırılmış (obsolete) olup, yerine yeni tasarımlarda alternatif modeller değerlendirilmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12 mA @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Resistance - RDS(On) 50 Ohms
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 25 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok