Transistörler - JFET
PMBFJ177,215
JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- PMBFJ177
PMBFJ177,215 Hakkında
PMBFJ177,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen P-Channel Junction Field-Effect Transistör (JFET) olup, SO-23 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 30V maksimum drain-source gerilimi ve 300mW güç sınırlaması ile tasarlanmıştır. 1.5mA Idss değeri, 300Ω RDS(on) direnci ve 8pF giriş kapasitanslı yapısı ile analog anahtarlama, küçük sinyal amplifikasyon ve impedans dönüştürme uygulamalarında kullanılabilir. 150°C çalışma sıcaklığı desteği ve düşük kapasite değerleri ile yüksek frekans devrelerinde yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistance - RDS(On) | 300 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 800 mV @ 10 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok