Transistörler - JFET
PMBFJ176,215
JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- PMBFJ176
PMBFJ176,215 Hakkında
PMBFJ176, NXP Semiconductors tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 2mA Idss (Vds=15V, Vgs=0) ve 250 Ohm RDS(on) değerleri ile karakterize edilmiştir. Maksimum 300mW güç seviyesinde çalışan bu bileşen, düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-23 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, ses devrelerinde, ön-amplifikatörlerde ve hassas analog anahtarlama devreleri için uygundur. 150°C maksimum işletme sıcaklığında stabilite sağlar. 8pF giriş kapasitansi ile RF ve yüksek frekanslı uygulamalarda da tercih edilebilir. Kompakt boyutu, düşük kapasite değerleri ve kontrollü kesme özellikleri ile miniaturize edilmiş uygulamalarda tercih edilen bir JFET seçeneğidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistance - RDS(On) | 250 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1 V @ 10 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok