Transistörler - JFET
PMBFJ175,215
JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- PMBFJ175
PMBFJ175,215 Hakkında
PMBFJ175,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. SOT-23 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, maksimum 30V Drain-Source voltajında çalışabilir. 7mA Idss ve 125Ω RDS(On) değerleri ile düşük sinyal uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 300mW güç kapasitesi ile ses öncülleri, sinyal anahtarlama ve zayıf sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C bağlantı noktası sıcaklığında çalışabilme özelliğine sahiptir. Küçük boyutu ve düşük capacitans değeri (8pF) ile yüksek frekans uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistance - RDS(On) | 125 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 3 V @ 10 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok