Transistörler - JFET

PMBFJ113,215

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMBFJ113

PMBFJ113,215 Hakkında

PMBFJ113,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 300mW güç yeteneği ile düşük güçlü uygulamalarda kullanılır. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, analog switcher, düşük gürültü amplifikatör ve sinyal kontrolü uygulamalarında yer alır. 100Ω RDS(On) direnci ve 2mA Idss karakteristiği ile iç direnç geri beslemeli devrelere uygundur. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Artık üretilmeyen (obsolete) bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 10V (VGS)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Resistance - RDS(On) 100 Ohms
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 40 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 3 V @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok