Transistörler - JFET
PMBFJ112,215
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- PMBFJ112
PMBFJ112,215 Hakkında
PMBFJ112,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 300mW güç derecelendirmesi ile küçük sinyal uygulamalarında kullanılır. 5mA Idss değeri ile düşük kıvrım özellikleri sunar. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, analog anahtarlama, ses işleme, kontrol devreleri ve düşük gürültülü ön amplifikatör tasarımlarında yer bulur. 50 Ohm RDS(On) değeri ile etkin bir geçiş elemanıdır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 5 V @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok