Transistörler - JFET
PMBFJ111,215
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- PMBFJ111
PMBFJ111,215 Hakkında
PMBFJ111,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 300mW güç derecelendirmesi ile tasarlanan bu bileşen, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 20mA Idss değeri ve 30 Ohm RDS(On) direnci ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük giriş kapasitansi (6pF) nedeniyle RF ve yüksek frekans devrelerinde tercih edilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilen bu JFET, sinyal yönlendirme, analog anahtarlar ve düşük gürültü ön-amplifikatörlerde yaygın olarak uygulanır. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Resistance - RDS(On) | 30 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 10 V @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok