Transistörler - JFET
PMBFJ110,215
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- PMBFJ110
PMBFJ110,215 Hakkında
PMBFJ110,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-channel JFET transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 25V drain-source gerilimi ve 250mW maksimum güç tüketimine sahiptir. Idss değeri 15V'de 10mA olarak belirlenmiştir. RDS(on) 18 Ohm'dur. Giriş kapasitansi (Ciss) maksimum 30pF'dir. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. VGS kesme gerilimi 4V @ 1µA'dır. Düşük güçlü analog ve RF uygulamalarında, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Komponent üretimi sonlandırılmış olup, mevcut stoklarda bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistance - RDS(On) | 18 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 4 V @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok