Transistörler - JFET

PMBFJ109,215

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PMBFJ109

PMBFJ109,215 Hakkında

PMBFJ109,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-kanal JFET transistördür. SOT-23 yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 25V drain-source gerilimi, 40mA drain akımı (Vgs=0) ve 250mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 12 Ohm kanal direnci (RDS(on)) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 30pF giriş kapasitansı (Ciss) ve 6V kesme gerilimi (VGS(off)) özellikleri ile röle sürücüleri, sinyal seçiciler ve düşük gürültülü amplifikatörler gibi uygulamalarda yer bulur. Operating temperature aralığı 150°C'ye kadar çıkabilmektedir. Şu anda üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 40 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Resistance - RDS(On) 12 Ohms
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 25 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 6 V @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok