Transistörler - JFET
PMBFJ108,215
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- PMBFJ108
PMBFJ108,215 Hakkında
PMBFJ108,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. 25V drain-source voltaj ve 250mW maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. 80mA Idss akımı ve 8 Ohm RDS(on) direnci ile düşük gürültülü uygulamalarda kullanılabilir. Surface mount SOT-23 paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Rf amplifikatörler, düşük frekans preamplifikatörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Bileşen ürün statüsü discontinued olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 80 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistance - RDS(On) | 8 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 10 V @ 1 µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok