Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJX8872B_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJX8872B_R1_00001 Hakkında
PJX8872B_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen dual N-channel enhancement mode MOSFET transistör dizisidir. 60V Vdss derecelendirmesi ve 200mA sürekli drain akımı ile tasarlanan bu komponent, SOT-563/SOT-666 paket tipiyle surface mount uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3Ohm Rds(on) değeri (@600mA, 10V) düşük iletim kayıpları sağlar. 0.82nC gate charge ve 34pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında etkindir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunarak, motor kontrol, güç yönetimi, şarj devreler ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.82nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok