Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJX8812_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJX8812_R1_00001 Hakkında
PJX8812_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen dual N-Channel enhancement mode MOSFET dizisidir. 30V Drain-Source gerilimi, 350mA sürekli dren akımı ve 1.2Ω on-resistance (4.5V, 350mA) karakteristiğine sahiptir. Gate kapasitesi 34pF ve gate yükü 0.87nC olarak belirtilmiştir. SOT-563/SOT-666 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Düşük güç tüketimine (300mW max) sahip olan PJX8812, anahtarlama uygulamaları, lojik sürücüler ve küçük sinyal işleme devrelerinde tercih edilen bir dual MOSFET çözümüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok