Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJX8807_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJX8807_R1_00001 Hakkında
PJX8807_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. SOT-563/SOT-666 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 20V Drain-Source voltaj desteği ve 500mA sürekli drenaj akımı ile çalışır. Maksimum 300mW güç dağıtım kapasitesine sahip olan transistör, 1.2Ohm (500mA, 4.5V) on-state direnci ile karakterize edilmiştir. Gate threshold voltajı maksimum 1V (250µA)'dır. 1.4nC gate charge ve 38pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun tasarımı gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında kullanılmaya elverişlidir. Anahtarlama, düşük güç uygulamaları ve sinyal denetim devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 38pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok