Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJX8806_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJX8806_R1_00001 Hakkında
PJX8806_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET transistördür. SOT-563/SOT-666 paketinde sunulan bu komponent, iki N-Channel transistör içeren bir dizidir. 25°C'de 800mA sürekli drain akımı ve 400mOhm maksimum RDS(on) değeri (500mA, 4.5V koşullarında) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük güçlü dijital kontrol devrelerinde, sinyal anahtarlaması ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.92nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok