Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJX8802_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJX8802_R1_00001 Hakkında
PJX8802_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen dual N-Channel enhancement mode MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 700mA sürekli dren akımına sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-563/SOT-666 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 150mOhm On-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel dijital uygulamalarda yer alır. 300mW maksimum güç derecelendirmesiyle kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 92pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 700mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok