Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJX138L_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJX138L_R1_00001 Hakkında
PJX138L_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET transistördür. SOT-563/SOT-666 paketinde sunulan bu bileşen, 160mA sürekli drain akımı ve 223mW maksimum güç kapasitesine sahiptir. 4.2Ω (10V, 160mA) on-state resistance ve 1.5V gate threshold voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bileşen, düşük kapasitans (15pF @ 15V) karakteristiğiyle hızlı komütasyon gerektiren devrelerde yer alır. Surface mount teknolojisi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 223mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 160mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok