Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7839_R1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7839_R1_00001 Hakkında
PJT7839_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode dual MOSFET transistör dizisidir. Düşük RDS(on) değeri (4Ω @ 10V) ve kompakt SOT-363 paketlemesi ile surface mount uygulamalarında kullanılır. 250mA continuous drain akımı ve 350mW maksimum güç yeteneği ile analog anahtarlama, lojik seviye invertörleri ve düşük güçlü anahtar devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, portabil cihazlar, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 51pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok