Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
PJT7812_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7812_R1_00001 Hakkında
PJT7812_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode dual MOSFET transistördür. Bu bileşen, iki adet N-Channel MOSFET'i tek bir 6-TSSOP (SOT-363) paket içerisinde barındırır. 500mA sürekli drain akımı, 1.2Ω RDS(on) değeri ve 350mW maksimum güç derecelendirmesi ile hafif ve orta güç uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C), düşük gate charge (0.87nC) ve hızlı anahtarlama özelliği sayesinde DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, switch modlu güç kaynakları ve dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. Surface mount paketlemesi nedeniyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok